什么是壓敏電阻？
壓敏電阻
壓敏電阻是電壓相關電阻（VDR）。一個的電阻變阻器是可變的并且取決于所施加的電壓，這個詞由“ var iable res istor ”字樣的部分組成。當電壓增加時，它們的電阻會降低；在電壓過高的情況下，它們的電阻會急劇下降。這種行為使它們適合在電壓浪涌期間保護電路。浪涌的原因可能包括雷擊和靜電放電，最常見的VDR類型是金屬氧化物變阻器或MOV。
定義
壓敏電阻是非線性雙元件半導體，隨著電壓的增加會降低電阻。電壓相關電阻通常用作敏感電路的浪涌抑制器。
壓敏電阻封裝
以下是經常遇到的不同包的一些示例。塊封裝用于更高的額定功率。
壓敏電阻封裝圖示
特點
電壓相關電阻器具有非線性變化電阻，取決于所施加的電壓。在額定負載條件下阻抗很高，但是當超過電壓閾值（擊穿電壓）時，阻抗會急劇下降到一個低值。它們通常用于保護電路免受過大的瞬態(tài)電壓影響。當電路暴露在高壓瞬態(tài)時，壓敏電阻開始導通并將瞬態(tài)電壓鉗位到安全水平。輸入浪涌的能量部分傳導并部分吸收，保護電路。
最常見的類型是MOV或金屬氧化物壓敏電阻。它們由氧化鋅（ZnO）晶粒的燒結基質構成。晶界提供PN結半導體特性，類似于二極管結。隨機取向的晶粒矩陣可以與串聯和并聯的大型二極管網絡進行比較。當施加低電壓時，僅通過結的反向泄漏引起非常小的電流流動。然而，當施加超過擊穿電壓的高電壓時，結經歷雪崩擊穿并且大電流可以流動。這種行為導致非線性電流 - 電壓特性。
電流（I）到端子之間的電壓（V）之間的關系通常用下式描述：
術語α描述了非線性程度。圖1顯示了MOV（高α）和SiC壓敏電阻（低α）的特性曲線。
壓敏電阻電壓-電流特性
重要的選擇參數是鉗位電壓，峰值電流，最大脈沖能量，額定AC / DC電壓和待機電流。當用于通信線路時，雜散電容也是一個重要參數。高電容可以充當高頻信號的濾波器或引起串擾，從而限制通信線路的可用帶寬。
在1-1000微秒量級的高瞬態(tài)電壓浪涌的情況下，壓敏電阻可用于短時間保護。然而，它們不適合處理持續(xù)的浪涌。如果以焦耳（J）為單位的瞬態(tài)脈沖能量過高且明顯超過絕對最大額定值，則它們會熔化，燃燒或爆炸。
MOV在暴露于反復浪涌時會降解。每次浪涌后，MOV的鉗位電壓會稍微降低，多少取決于MOV相對于脈沖的焦耳等級。隨著鉗位電壓越來越低，當鉗位電壓低于受保護的線電壓時，可能的故障模式是部分或完全短路。這種情況可能導致火災。為了防止火災，它們通常與熱熔絲串聯連接，在過熱的情況下斷開MOV。為了限制劣化，建議使用與受保護電路允許的高鉗位電壓，以限制浪涌的暴露量。
應用
壓敏電阻的非線性特性使其成為浪涌保護裝置的理想選擇。高壓瞬變源可以是例如雷擊，靜電放電或來自電動機或變壓器的感應放電。它們例如經常用在電涌保護器電源板中。具有低電容的特殊類型可保護通信線路。
這些VDR適用于各種應用，包括：
1、電話和其他通信線路保護
2、無線電通信設備瞬態(tài)抑制
3、電涌保護器電源板
4、有線電視系統(tǒng)電涌保護器
5、電源保護
6、微處理器保護
7、電子設備保護
8、低壓板級保護
9、瞬態(tài)電壓浪涌抑制器（TVSS）
10、汽車電子保護
11、工業(yè)高能交流保護
類型
最重要的壓敏電阻類型：
1.金屬氧化物壓敏電阻 - 上面描述的MOV是一種由氧化鋅（ZnO）組成的非線性瞬態(tài)抑制器
2.碳化硅壓敏電阻 - 這曾經是MOV進入市場之前最常見的類型。這些組件使用碳化硅（SiC）。它們已廣泛用于高功率，高壓應用。這些器件的缺點是它們消耗了大量的待機電流，因此需要一系列間隙來限制待機功耗。
替代類型的浪涌抑制裝置包括：
1.硒電池 - 這些抑制器使用硒整流器，可提供高能反向擊穿電流。一些硒細胞具有密封愈合特性，可以承受高能量放電。然而，它們沒有現代MOV的夾緊能力。
2.齊納二極管 - 采用硅整流技術的瞬態(tài)抑制器件。它們具有非常恒定的電壓鉗位能力。這些部件的主要缺點是它們具有有限的能量耗散能力。
3.撬棒裝置 - 撬棒裝置使浪涌對地短路，這種短路將持續(xù)到電流低于某一非常低的水平。創(chuàng)造滯后或力量跟隨效果。撬棍裝置的示例是：
*氣體放電管（GDT）或火花隙 - 這些器件在產生導電火花后導通，缺點是它們需要相對長的時間來觸發(fā)，其優(yōu)點是具有大的載流能力。
*晶閘管浪涌保護器件（TSPD）- 具有與GDT類似的特性，但可以更快地動作。
壓敏電阻符號
以下是壓敏電阻的符號。它被描述為可變電阻器，其取決于電壓U.
壓敏電阻符號
IEC標準
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