數(shù)字晶體管（Digital Transistor）與普通晶體管差別不大，并沒有采用任何數(shù)字技術(shù)，僅僅內(nèi)置了一個(gè)或兩個(gè)偏壓電阻，即所謂的偏壓型晶體管（Bias Resistor Transistor）。與普通晶體管相比，數(shù)字晶體管的輸入-輸出呈線性關(guān)系，而且工作狀況穩(wěn)定。
數(shù)字晶體管的工作原理
數(shù)字晶體管的工作原理與與普通晶體管一樣，如圖1。在這個(gè)電路中，在NPN晶體管的基極(B)-發(fā)射極(E)之間輸入一個(gè)正向電壓，注入基極電流。就是說(shuō)，在基極(B)領(lǐng)域注入+空穴。
如果在基極(B)領(lǐng)域注入+電子，發(fā)射極(E)的載流子-會(huì)被吸引至基極(B)，但是正極(B)領(lǐng)域非常薄，因此通過加入集電極電壓，載流子可以穿越基極(B)流向集電極(C)。這樣，電流就由集電極(C)→發(fā)射極(E)流動(dòng)，數(shù)字晶體管就開始工作了。
數(shù)字晶體管的工作原理圖
數(shù)字晶體管具有放大和開關(guān)作用：
（1）用作放大時(shí)，通過注入基極電流IB，在集電極IC就能夠獲得放大了hFE倍的電流。在電路應(yīng)用中，通過輸入信號(hào)持續(xù)控制集電極電流，可以得到hFE倍的輸出電流。
數(shù)字晶體管放大和開關(guān)作用
（2）在開關(guān)作用中，在ON時(shí)電氣性飽和狀態(tài)（降低集電極-發(fā)射極間的飽和電壓）下使用。
數(shù)字晶體管用語(yǔ)
表征數(shù)字晶體管的參數(shù)有7個(gè)，分別為VI(on)Min、VI(off)Max、VO(on)、II(Max.)、GI、R1、R2/R1。
不同型號(hào)的數(shù)字晶體管示例
其中，VI(on)Min.是最小輸入電壓。這表示向OUT引腳、GND引腳間施加正向電壓 (VO)，并得到規(guī)定的輸出電流時(shí)需要的最小輸入電壓，即數(shù)字晶體管導(dǎo)通區(qū)域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態(tài)變?yōu)镺FF狀態(tài)，需要進(jìn)一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值低于這個(gè)數(shù)值。
VI(off)Max.是最大輸入電壓。這表示向OUT引腳、GND引腳間施加電源電壓 (VCC)、輸出電流 (IO) 的狀態(tài)下，IN引腳、GND引腳間得到的最大輸入電壓，即可以保持?jǐn)?shù)字晶體管OFF狀態(tài)區(qū)域的最大輸入電壓值。因此，如果要從OFF狀態(tài)變?yōu)镺N狀態(tài)，需要進(jìn)一步升高該最大輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值高于這個(gè)數(shù)值。
VO(on)是輸出電壓，表示任意輸入條件下不超過絕對(duì)最大額定值的輸出引腳電壓。GND接地放大電路流過充足的輸入電流時(shí)，輸出電壓降低，IN、OUT接合也變?yōu)檎珘籂顟B(tài)。在規(guī)定的VO、IO下將II設(shè)定為整數(shù)（通常10~20）分之一進(jìn)行測(cè)定。
II(Max.)是輸入電流，表示向IN引腳、GND引腳間施加正向電壓 (VI) 時(shí)，IN引腳連續(xù)流過電流的最大輸入容許值。
GI是GND接地直流電流增益，表示規(guī)定的VO、IO條件下的IO/II的比值。
R1表示輸入電阻，表示在IN引腳、晶體管基極之間內(nèi)置的電阻。R1的公差設(shè)定為±30%。另外，還會(huì)隨著溫度的變化而變化。
R2/R1是電阻比率（RESISTANCE RATIO），表示晶體管的基極?發(fā)射極之間的電阻與內(nèi)置輸入電阻的比率。
數(shù)字晶體管的作用是簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，讓晶體管的工作狀態(tài)更穩(wěn)定。
采購(gòu)時(shí)除了上述7個(gè)參數(shù)，還要考慮IP等級(jí)、包裝與封裝、尺寸、引腳數(shù)、極性（NPN或PNP）、輸入電阻R1，射極電阻R2、功耗、放大倍數(shù)（GI/hFE）、存儲(chǔ)溫度范圍，以及ROHS要求等。
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