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      7. 簡(jiǎn)單實(shí)用的雙向電平轉(zhuǎn)換電路3.3V-5V工作狀態(tài)解析
        • 發(fā)布時(shí)間:2020-09-04 17:42:32
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        簡(jiǎn)單實(shí)用的雙向電平轉(zhuǎn)換電路3.3V-5V工作狀態(tài)解析
        所謂電平,是指兩功率或電壓之比的對(duì)數(shù),有時(shí)也可用來(lái)表示兩電流之比的對(duì)數(shù)。電平的單位分貝用dB表示。常用的電平有功率電平和電壓電平兩類(lèi),它們各自又可分為絕對(duì)電平和相對(duì)電平兩種。
        當(dāng)你使用3.3V的單片機(jī)的時(shí)候,電平轉(zhuǎn)換就在所難免了,經(jīng)常會(huì)遇到3.3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3.3V的情況,這里介紹一個(gè)簡(jiǎn)單的電路,他可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)電平的相互轉(zhuǎn)換(注意是相互哦,雙向的,不是單向的!).電路十分簡(jiǎn)單,僅由3個(gè)電阻加一個(gè)MOS管構(gòu)成。
        電路圖如下:
        轉(zhuǎn)換電路,雙向電平
        上圖中,S1,S2為兩個(gè)信號(hào)端,VCC_S1和VCC_S2為這兩個(gè)信號(hào)的高電平電壓.另外限制條件為:
        1,VCC_S1<=VCC_S2.
        2,S1的低電平門(mén)限大于0.7V左右(視NMOS內(nèi)的二極管壓降而定).
        3,Vgs<=VCC_S1.
        4,Vds<=VCC_S2
        對(duì)于3.3V和5V/12V等電路的相互轉(zhuǎn)換,NMOS管選擇AP2306即可.原理比較簡(jiǎn)單,大家自行分析吧!此電路我已在多處應(yīng)用,效果很好。
        轉(zhuǎn)換電路,雙向電平
        I2C,類(lèi)似這種吧,只是不知道這種電路的速率能達(dá)到多少。
        電平轉(zhuǎn)換器的操作
        在電平轉(zhuǎn)換器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài):
        1、沒(méi)有器件下拉總線線路。“低電壓”部分的總線線路通過(guò)上拉電阻Rp 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的門(mén)極和源極都是3.3V, 所以它的VGS 低于閥值電壓,MOS-FET 管不導(dǎo)通。這就允許“高電壓”部分的總線線路通過(guò)它的上拉電阻Rp 拉到5V。 此時(shí)兩部分的總線線路都是高電平,只是電壓電平不同。
        2、一個(gè)3.3V器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET管的源極也變成低電平,而門(mén)極是3.3V。VGS上升高于閥值,MOS-FET管開(kāi)始導(dǎo)通。然后“高電壓”部分的總線線路通過(guò)導(dǎo)通的MOS-FET管被3.3V器件下拉到低電平。此時(shí),兩部分的總線線路都是低電平,而且電壓電平相同。
        3、一個(gè)5V的器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET管的漏極基底二極管“低電壓”部分被下拉直到VGS超過(guò)閥值,MOS-FET管開(kāi)始導(dǎo)通。“低電壓”部分的總線線路通過(guò)導(dǎo)通的MOS-FET管被5V的器件進(jìn)一步下拉到低電平。此時(shí),兩部分的總線線路都是低電平,而且電壓電平相同。
        這三種狀態(tài)顯示了邏輯電平在總線系統(tǒng)的兩個(gè)方向上傳輸,與驅(qū)動(dòng)的部分無(wú)關(guān)。狀態(tài)1執(zhí)行了電平轉(zhuǎn)換功能。狀態(tài)2和3按照I2C總線規(guī)范的要求在兩部分的總線線路之間實(shí)現(xiàn)“線與”的功能。
        除了3.3V VDD1和5V VDD2的電源電壓外,還可以是例如:2V VDD1和10V VDD2。在正常操作中,VDD2必須等于或高于VDD1(在開(kāi)關(guān)電源時(shí)允許VDD2低于VDD1)。
        MOS-N場(chǎng)效應(yīng)管雙向電平轉(zhuǎn)換電路--適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換的簡(jiǎn)單應(yīng)用
        轉(zhuǎn)換電路,雙向電平
        如上圖所示,是MOS-N場(chǎng)效應(yīng)管雙向電平轉(zhuǎn)換電路。
        雙向傳輸原理:
        為了方便講述,定義 3.3V 為 A 端,5.0V 為 B 端。
        A端輸出低電平時(shí)(0V),MOS管導(dǎo)通,B端輸出是低電平(0V)
        A端輸出高電平時(shí)(3.3V),MOS管截至,B端輸出是高電平(5V)
        A端輸出高阻時(shí)(OC) ,MOS管截至,B端輸出是高電平(5V)
        B端輸出低電平時(shí)(0V),MOS管內(nèi)的二極管導(dǎo)通,從而使MOS管導(dǎo)通,A端輸出是低電平(0V)
        B端輸出高電平時(shí)(5V),MOS管截至,A端輸出是高電平(3.3V)
        B端輸出高阻時(shí)(OC) ,MOS管截至,A端輸出是高電平(3.3V)
        優(yōu)點(diǎn):
        1、適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換,價(jià)格低廉。
        2、導(dǎo)通后,壓降比三極管小。
        3、正反向雙向?qū)ǎ喈?dāng)于機(jī)械開(kāi)關(guān)。
        4、電壓型驅(qū)動(dòng),當(dāng)然也需要一定的驅(qū)動(dòng)電流,而且有的應(yīng)用也許比三極管大。
        電平與電壓的關(guān)系
        從電壓電平的定義就可以看出電平與電壓之間的關(guān)系,電平的測(cè)量實(shí)際上也是電壓的測(cè)量,只是刻度不同而已,任何電壓表都可以成為一個(gè)測(cè)量電壓電平的電平表,只要表盤(pán)按電平刻度標(biāo)志即可,在此要注意的是電平刻度是以1 mW功率消耗于600 Ω電阻為零分貝進(jìn)行計(jì)算的,即0dB=0.775V。電平量程的擴(kuò)大實(shí)質(zhì)上也是電壓量程的擴(kuò)大,只不過(guò)由于電平與電壓之間是對(duì)數(shù)關(guān)系,因而電壓量程擴(kuò)大N倍時(shí),由電平定義可知,即電平增加20lgN(dB)。
        由此可知,電平量程的擴(kuò)大可以通過(guò)相應(yīng)的交流電壓表量程的擴(kuò)大來(lái)實(shí)現(xiàn),其測(cè)量值應(yīng)為表頭指針示數(shù)再加一個(gè)附加分貝值(或量程分貝值)。附加分貝值的大小由電壓量程的擴(kuò)大倍數(shù)來(lái)決定。
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