MOS管即金屬氧化物半導體，即在集成電路中絕緣性場效應管。
確切地說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。
MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。
MOS管工作原理
N溝道增強型MOS場效應管：利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。
在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。
當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
MOS管的分類
MOS管按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種，按導電方式又分耗盡型與增強型，所以MOS場效應晶體管分為N溝耗盡型和增強型，P溝耗盡型和增強型四大類。
不過現(xiàn)實中，耗盡型的類型很少，而P溝道也比較少，最多的就是N溝道增強型。
大部分MOS管的外觀極其類似，常見的封裝種類有TO252 / TO220 / TO92 / TO3 / TO247等等，但具體的型號有成千上萬種，因此光從外觀是無法區(qū)分的。對于不熟悉型號，經(jīng)驗又比較少的人來說，比較好的方法就是查器件的datasheet。
里面會詳細告訴你，它的類型和具體參數(shù)，這些參數(shù)對于你設計電路極有用。我們區(qū)分類型，一般就是看型號，比如IRF530 / IRF540 / IRF3205 / IRPF250等這些都是很常見的N溝道增強型。
無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的，是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。
MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極管快。
N型MOS管的特性：VGS大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V，其他電壓看手冊）就可以了。
P型MOS管的特性：VGS小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然P型MOS管可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導通電阻大、價格貴、替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中通常還是使用N型MOS管。
MOS管失效的6大原因
1、雪崩失效(電壓失效)：也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOS管失效。
2、柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
3、靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。
4、諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。
5、體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。
6、SOA失效(電流失效)：既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
雪崩失效(電壓失效)
到底什么是雪崩失效呢？簡單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間，導致的一種失效模式。
簡而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預防措施：
合理降額使用。目前，行業(yè)內(nèi)降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點來選擇。
合理的變壓器反射電壓。
合理的RCD和TVS吸收電路設計。
大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。
選擇一個合理的門電阻Rg。
在大功率電源中，可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
柵極電壓失效
造成柵極電壓異常高的主要原因有三：
生產(chǎn)、運輸、裝配過程中的靜電；
電力系統(tǒng)運行中設備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振；
在高壓沖擊過程中，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(在雷擊試驗中，這種原因引起的故障更常見)。
門極電壓失效的預防措施：
柵極和源極之間的過電壓保護：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導致非常高的UGS電壓超調(diào)，從而導致柵極超調(diào)。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設備也可能導通錯誤。為此，應適當降低柵極驅(qū)動電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個阻尼電阻或一個穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開門操作。
排水管之間的過電壓保護：如果電路中存在電感負載，當設備關閉時，漏極電流(di/dt)的突然變化將導致漏極電壓超調(diào)，這遠遠高于電源電壓，從而導致設備損壞。應采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護措施。
靜電分析
靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場，與地球有電位差；產(chǎn)生放電電流。這三種情況對電子元件有以下影響：
該元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。
由于電場或電流的作用，元件的絕緣層和導體損壞，使元件不能工作(完全損壞)。
由于電場的瞬時軟擊穿或電流過熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。
靜電失效預防措施：
MOS電路輸入端的保護二極管在通電時的電流容限為1毫安。當可能出現(xiàn)過大的瞬時輸入電流(大于10mA)時，輸入保護電阻應串聯(lián)。
同時，由于保護電路吸收的瞬時能量有限，過大的瞬時信號和過高的靜電電壓會使保護電路失效。
因此，在焊接過程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設備輸入端子泄漏。一般使用時，斷電后，可利用烙鐵的余熱進行焊接，其接地腳應先焊好。
諧振失效
當功率MOS管并聯(lián)而不插入柵極電阻但直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。
當漏源電壓在高速下反復接通和斷開時，這種寄生振蕩發(fā)生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構成的諧振電路中。
當建立共振條件(ωL=1/ωC)時，在柵極和源極之間施加遠大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓，柵極因超過柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開關時的振動電壓通過柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產(chǎn)生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。
諧振失效預防措施：
阻力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個小電阻串聯(lián)到柵極上并不能解決振蕩阻尼問題，主要原因是驅(qū)動電路的阻抗匹配和功率管開關時間的調(diào)整。
體二級管故障
在不同的拓撲和電路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。
二極管故障的解決方案主要是通過結合自身電路來分析。
SOA失效(電流失效)
半導體光放大器(SOA)失效是指在電源工作過程中，由于MOS管上同時疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式。或者，芯片、散熱器和封裝不能及時達到熱平衡，導致熱量積聚，并且連續(xù)熱產(chǎn)生導致溫度超過由于熱擊穿模式而導致的氧化物層的極限。
SOA失效的預防措施：
確保在最壞的情況下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制線之內(nèi)；OCP功能必須精確、詳細。
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