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        二極管、三極管、MOS管、橋堆

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      7. 一個(gè)IIC的5V與3.3V電平轉(zhuǎn)換的經(jīng)典電路圖解
        • 發(fā)布時(shí)間:2021-03-23 14:30:39
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        一個(gè)IIC的5V與3.3V電平轉(zhuǎn)換的經(jīng)典電路圖解
        5V與3.3V電平轉(zhuǎn)換
        在電平轉(zhuǎn)換器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài):
        1沒(méi)有器件下拉總線(xiàn)線(xiàn)路。“低電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn)路通過(guò)上拉電阻Rp 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的門(mén)極和源極都是3.3V, 所以它的VGS 低于閥值電壓,MOS-FET 管不導(dǎo)通。這就允許“高電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn)路通過(guò)它的上拉電阻Rp 拉到5V。此時(shí)兩部分的總線(xiàn)線(xiàn)路都是高電平,只是電壓電平不同。
        2一個(gè)3.3V 器件下拉總線(xiàn)線(xiàn)路到低電平。MOS-FET 管的源極也變成低電平,而門(mén)極是3.3V。 VGS上升高于閥值,MOS-FET 管開(kāi)始導(dǎo)通。然后“高電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn)路通過(guò)導(dǎo)通的MOS-FET管被3.3V 器件下拉到低電平。此時(shí),兩部分的總線(xiàn)線(xiàn)路都是低電平,而且電壓電平相同。
        3    一個(gè)5V 的器件下拉總線(xiàn)線(xiàn)路到低電平。MOS-FET 管的漏極基底二極管“低電壓”部分被下拉直到VGS 超過(guò)閥值,MOS-FET 管開(kāi)始導(dǎo)通。“低電壓”部分的總線(xiàn)線(xiàn)路通過(guò)導(dǎo)通的MOS-FET 管被5V 的器件進(jìn)一步下拉到低電平。此時(shí),兩部分的總線(xiàn)線(xiàn)路都是低電平,而且電壓電平相同。
        這三種狀態(tài)顯示了邏輯電平在總線(xiàn)系統(tǒng)的兩個(gè)方向上傳輸,與驅(qū)動(dòng)的部分無(wú)關(guān)。狀態(tài)1 執(zhí)行了電平轉(zhuǎn)換功能。狀態(tài)2 和3 按照I2C 總線(xiàn)規(guī)范的要求在兩部分的總線(xiàn)線(xiàn)路之間實(shí)現(xiàn)“線(xiàn)與”的功能。
        除了3.3V VDD1 和5V VDD2 的電源電壓外,還可以是例如:2.5V VDD1 和12V VDD2。 在正常操作中,VDD2必須等于或高于VDD1(在開(kāi)關(guān)電源時(shí)允許VDD2 低于VDD1)。
        MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換的簡(jiǎn)單應(yīng)用
        5V與3.3V電平轉(zhuǎn)換
        如上圖所示,是 MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。
        雙向傳輸原理:
        為了方便講述,定義 3.3V 為 A 端,5.0V 為 B 端。
        A端輸出低電平時(shí)(0V)  ,MOS管導(dǎo)通,B端輸出是低電平(0V)
        A端輸出高電平時(shí)(3.3V),MOS管截至,B端輸出是高電平(5V)
        A端輸出高阻時(shí)(OC)    ,MOS管截至,B端輸出是高電平(5V)
        B端輸出低電平時(shí)(0V)  ,MOS管內(nèi)的二極管導(dǎo)通,從而使MOS管導(dǎo)通,A端輸出是低電平(0V)
        B端輸出高電平時(shí)(5V)  ,MOS管截至,A端輸出是高電平(3.3V)
        B端輸出高阻時(shí)(OC)    ,MOS管截至,A端輸出是高電平(3.3V)
        優(yōu)點(diǎn):
        1、適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換,價(jià)格低廉。
        2、導(dǎo)通后,壓降比三極管小。
        3、正反向雙向?qū)ǎ喈?dāng)于機(jī)械開(kāi)關(guān)。
        4、電壓型驅(qū)動(dòng),當(dāng)然也需要一定的驅(qū)動(dòng)電流,而且有的應(yīng)用也許比三極管大。
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