驅動電路中的誤開通
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個受門極電壓控制的開關。當門極電壓大于開通閾值時，功率器件就會被開通；而當門極電壓低于開通閾值時，功率器件就會被關斷。
但在實際的應用中，由于器件及外圍線路寄生參數(shù)的影響，會導致原本關斷的功率器件會被誤開通。
圖 1. 米勒效應引起的誤開通
圖1顯示了米勒效應帶來的誤開通。當 MOSFET 關斷而對管導通時， Vds 電壓快速的上升產生高的 dv/dt，從而在電容 Cgd 中產生位移電流( igd)。這個位移電流流經 Rg, M2 后就會在 Vg上產生一個電壓尖峰 (Vspk)。
如果這個電壓尖峰超過了 MOSFET 的開通閾值，MOSFET 就會被開通，從而導致電路直通甚至損壞。
還有一種誤開通是由于線路上的寄生電感引起的，如圖2所示。Ls 是MOSFET 源極上的寄生電感。
當 MOSFET 快速關斷時，電流（ids）迅速的減小產生較高的 di/dt，從而在 Ls 的兩端產生一個負的電壓（VLS）。這個VLS電壓如果超過了 MOSFET 的門極閾值，MOSFET 就會被誤開通。
圖 2. 寄生電感引起的誤開通
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