• <cite id="v36pm"><rp id="v36pm"></rp></cite>

    1. <cite id="v36pm"><track id="v36pm"></track></cite>

      1. <sub id="v36pm"></sub>
        <sup id="v36pm"></sup>

        <blockquote id="v36pm"></blockquote>
        <blockquote id="v36pm"></blockquote>
        91精品久久一区二区三区,国产99久久精品一区二区,久久综合色一综合色88,亚洲日本乱码熟妇色精品,性欧美欧美巨大69,开心五月激情综合久久爱,久热久热久热久热久热久热,国产精品扒开腿做爽爽爽a片唱戏

        您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

        深圳市烜芯微科技有限公司

        ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
        二極管、三極管、MOS管、橋堆

        全國服務(wù)熱線:18923864027

        解析PMOS作電源開關(guān)電源電壓被瞬間拉低
        • 發(fā)布時(shí)間:2023-07-20 21:01:08
        • 來源:
        • 閱讀次數(shù):
        解析PMOS作電源開關(guān)電源電壓被瞬間拉低
        PMOS管常作開關(guān)使用,如果負(fù)載是較大的容性負(fù)載,則在PMOS管開通瞬間,造成前級(jí)電源電壓跌落。如下面的示例:
        MOS管 電源 電壓 拉低
        圖1 PMOS作電源開關(guān),開通瞬間前級(jí)電源電壓跌落
        現(xiàn)象描述:
        PMOS管打開時(shí),會(huì)使前級(jí)電源VCC電壓跌落。VCC_3G并聯(lián)一個(gè)1000uf電容,初步判斷是mos管開啟瞬間充電電流引起,減小容值有比較小的改善,直接去掉后電壓才不會(huì)跌落,但是這個(gè)儲(chǔ)能電容又不能去掉,請(qǐng)問有無改進(jìn)辦法?
        其實(shí),解決這個(gè)問題的關(guān)鍵,就在于降低大容量電容的充電速度。總的來說,有以下辦法:
        在1000uF與PMOS管之間串聯(lián)電阻或者在電容上面串聯(lián)電阻;
        在PMOS管之前增加串聯(lián)電阻;
        降低PMOS管的開通速度,包括在GS間并聯(lián)電容或者在GD間并聯(lián)電容;
        在PMOS管與電容之間串聯(lián)電阻或者在電容上面串聯(lián)電阻
        這種方法,其實(shí)就是降低電容的充電電流,從而減小前級(jí)電源電壓的跌落。根據(jù)串聯(lián)電阻的位置不同,可以分為兩種,如圖2所示。
        MOS管 電源 電壓 拉低
        圖2 在PMOS管與電容之間串聯(lián)電阻或者在電容上面
        不管哪種,串聯(lián)電阻均能夠降低電容的充電速度,但是也相應(yīng)的降低負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力。
        在PMOS管之前增加串聯(lián)電阻
        這種方法,其實(shí)和上面的方法大同小異,其本質(zhì)都是降低前級(jí)電源對(duì)電容的充電電流,電路及如圖3所示。
        MOS管 電源 電壓 拉低
        圖3 在PMOS管之前增加串聯(lián)電阻
        MOS管 電源 電壓 拉低
        圖4 在PMOS管之前增加串聯(lián)電阻仿真
        其中,串聯(lián)電阻大小以負(fù)載最大電流和PMOS管的最大允許電流的平均值而定。
        關(guān)于功耗計(jì)算如下:
        AO3401最大可承受30A的脈沖電流,降額一半,以15A計(jì)。取樣電阻阻值計(jì)算為:0.7V/15A=46.6mOhm,取47mOhm。電路進(jìn)入穩(wěn)態(tài)后,電流為1A。取樣電阻上功耗為47mW,與MOS管(Ron=50mOhm)相當(dāng)。普通貼片電阻0603額定功率為100mW,仍有50%以上的降額幅度。
        從仿真波形看,Q1和Q2電流為0,PMOS管偏置由C1維持。
        假設(shè)單片機(jī)控制電壓為5V,電源電壓也為5V。整個(gè)電路耗電5V×1A=5W。
        開關(guān)控制電路耗電為:
        (47+50)mOhm×1A+(5–0.7)V^2/200kOhm
        =97mW+92.45mW=189.45mW
        占約0.18945/5=3.789%的整個(gè)電路功耗。
        降低PMOS管的開通速度,GS間并聯(lián)電容或者在GD間并聯(lián)電容
        這種方法則是通過控制PMOS管的溝道寬度來間接控制電容的充電電流。同樣,根據(jù)并聯(lián)電容的不同位置,也有兩種方法:
        1.GS間并聯(lián)電容
        S8050三極管未導(dǎo)通時(shí),并聯(lián)電容兩端電壓均為前級(jí)電源電壓;當(dāng)S8050導(dǎo)通后,并聯(lián)電容則通過1.2K電阻R4放電,也就是PMOS管的柵極電壓,當(dāng)GS電壓(PMOS管S大于G)滿足導(dǎo)通閾值時(shí),PMOS管開始逐漸導(dǎo)通。
        這種方法的效果跟并聯(lián)電容容值,放電電阻阻值,PMOS管的GS開通閾值有關(guān)。例如,PMOS關(guān)的GS開通閾值一定時(shí),并聯(lián)電容的容值越多,效果越好。
        但是,這也是這種方法的缺點(diǎn)。
        2.GD間并聯(lián)電容
        S8050三極管未導(dǎo)通時(shí),并聯(lián)電容兩端電壓分別為柵極VCC,漏極為高阻態(tài);當(dāng)S8050導(dǎo)通后,并聯(lián)電容開始通過電阻R4放電,PMOS管柵極電壓逐漸降低,PMOS管逐漸導(dǎo)通,PMOS管漏極電壓升高,反過來會(huì)使與PMOS管柵極連接的并聯(lián)電容的極板電壓升高(并聯(lián)電容放電電流流經(jīng)R4的結(jié)果),又抑制PMOS管的開通,如此反復(fù),可以使電容平穩(wěn)充電。
        〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號(hào)碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
         
        聯(lián)系號(hào)碼:18923864027(同微信)
        QQ:709211280

        相關(guān)閱讀
        主站蜘蛛池模板: 成人国产亚洲精品一区二区| 国产亚洲一区二区三区啪| 欧美人与禽2o2o性论交| 一区二区三区四区国产综合| 久久久久青草线蕉综合超碰| 成熟妇女性成熟满足视频| 元谋县| 99精品国产在热久久婷婷人| 中文www新版资源在线| 日韩AV无码免费播放| 思思久久96热在精品国产| 亚洲男人精品青春的天堂| 亚洲综合成人一区二区三区| 武邑县| 欧美 日韩 国产 成人 在线观看| 国内精品久久久久久久coent| 国产偷国产偷亚洲高清人乐享| 黑人玩弄出轨人妻松雪| 老熟妇乱子交视频一区| 亚洲av精彩一区二区| 日韩亚洲AV人人夜夜澡人人爽| 久久精品麻豆日日躁夜夜躁| 日韩欧美一卡2卡3卡4卡无卡免费2020| 人妻aⅴ中文字幕| 中中文字幕亚洲无线码| 狼人大伊人久久一区二区| 国产一区二区三区黄色片| 欧洲乱码伦视频免费国产| 国厂精品114福利电影免费| 亚洲人成人日韩中文字幕| 色婷婷久久综合中文久久一本 | 象州县| 97久久久久人妻精品区一| 日本极品少妇xxxx| 国产精品成人观看视频| 亚洲第一成人网站| 日本最新一区二区三区免费看| 奇米777四色成人影视| 科尔| 国产蜜臀精品一区二区三区| 最新亚洲av日韩av二区一区|