我們在應(yīng)用MOS管和設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動的時(shí)候，有很多寄生參數(shù)，其中最影響MOS管開關(guān)性能的是源邊感抗。寄生的源邊感抗主要有兩種來源，第一個(gè)就是晶圓DIE和封裝之間的Bonding線的感抗，另外一個(gè)就是源邊引腳到地的PCB走線的感抗（地是作為驅(qū)動電路的旁路電容和電源網(wǎng)絡(luò)濾波網(wǎng)的返回路徑）。在某些情況下，加入測量電流的小電阻也可能產(chǎn)生額外的感抗。
mos管是什么？
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出N溝道m(xù)os管符號一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管
場效應(yīng)管通過投影P溝道m(xù)os管符號一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
我們分析一下源邊感抗帶來的影響：
1.使得MOS管的開啟延遲和關(guān)斷延遲增加
由于存在源邊電感，在開啟和關(guān)段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時(shí)間變長了。同時(shí)源感抗和等效輸入電容之間會發(fā)生諧振（這個(gè)諧振是由于驅(qū)動電壓的快速變壓形成的，也是我們在G端看到震蕩尖峰的原因），我們加入的門電阻Rg和內(nèi)部的柵極電阻Rm都會抑制這個(gè)震蕩（震蕩的Q值非常高）。
我們需要加入的優(yōu)化電阻的值可以通過上述的公式選取，如果電阻過大則會引起G端電壓的過沖（優(yōu)點(diǎn)是加快了開啟的過程），電阻過小則會使得開啟過程變得很慢，加大了開啟的時(shí)間（雖然G端電壓會被抑制）。
園感抗另外一個(gè)影響是阻礙Id的變化，當(dāng)開啟的時(shí)候，初始時(shí)di/dt偏大，因此在原感抗上產(chǎn)生了較大壓降，從而使得源點(diǎn)點(diǎn)位抬高，使得Vg電壓大部分加在電感上面，因此使得G點(diǎn)的電壓變化減小，進(jìn)而形成了一種平衡（負(fù)反饋系統(tǒng)）。
另外一個(gè)重要的寄生參數(shù)是漏極的感抗，主要是有內(nèi)部的封裝電感以及連接的電感所組成。
在開啟狀態(tài)的時(shí)候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），開啟的時(shí)候由于Ld的作用，有效的限制了di/dt/（同時(shí)減少了開啟的功耗）。在關(guān)斷的時(shí)候，由于Ld的作用，Vds電壓形成明顯的下沖（負(fù)壓）并顯著的增加了關(guān)斷時(shí)候的功耗。
下面談一下驅(qū)動（直連或耦合的）的一些重要特性和典型環(huán)節(jié)：
直連電路最大挑戰(zhàn)是優(yōu)化布局
實(shí)際上驅(qū)動器和MOS管一般離開很遠(yuǎn)，因此在源級到返回路徑的環(huán)路上存在很大的感抗，即使我們考慮使用地平面，那么我們?nèi)耘f需要一段很粗的PCB線連接源級和地平面。
另外一個(gè)問題是大部分的集成芯片的輸出電流都比較小，因?yàn)橛捎诳刂祁l率較高，晶圓大小受到限制。同時(shí)內(nèi)部功耗很高也導(dǎo)致了IC的成本較高，因此我們需要一些擴(kuò)展分立的電路。
旁路電容的大小
由于開啟的瞬間，MOS管需要吸取大量的電流，因此旁路電容需要盡可能的貼近驅(qū)動器電源端。
有兩個(gè)電流需要我們?nèi)タ紤]：第一個(gè)是驅(qū)動器靜態(tài)電流，它收到輸入狀態(tài)的影響。他可以產(chǎn)生一個(gè)和占空比相關(guān)的紋波。
另外一個(gè)是G極電流，MOS管開通的時(shí)候，充電電流時(shí)將旁路電流的能量傳輸至MOS管輸入電容上。其紋波大小可用公式來表明，最后兩個(gè)可合在一起。
驅(qū)動器保護(hù)
如果驅(qū)動器輸出級為晶體管，那么我們還需要適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)來防止反向電流。一般為了成本考慮，我們采用NPN的輸出級電路。NPN管子只能承受單向電流，高邊的管子輸出電流，低邊的管子吸收電流。在開啟和關(guān)閉的時(shí)候，無可避免的源感抗和輸入電容之間的振蕩使得電流需要上下兩個(gè)方向都有通路，為了提供一條方向通路，低電壓的肖特基二極管可以用來保護(hù)驅(qū)動器的輸出級，這里注意這兩個(gè)管子并不能保護(hù)MOS管的輸入級（離MOS管較遠(yuǎn)），因此二極管需要離驅(qū)動器引腳非常近。
晶體管的圖騰柱結(jié)構(gòu)
這是最便宜和有效地驅(qū)動方式，此電路需要盡量考慮MOS管，這樣可以使得開啟時(shí)大電流環(huán)路盡可能小，并且此電路需要專門的旁路電容。Rgate是可選的，Rb可以根據(jù)晶體管的放大倍數(shù)來選擇。兩個(gè)BE之間的PN結(jié)有效的實(shí)現(xiàn)了反壓時(shí)候的相互保護(hù)，并能有效的把電壓嵌位在VCC+Vbe，GND-Vbe之間。
加速器件
MOS管開通的時(shí)候，開啟的速度主要取決于二極管的反向特性。
因此MOS管關(guān)斷的時(shí)間需要我們?nèi)?yōu)化，放電曲線取決于Rgate，Rgate越小則關(guān)斷越快。下面有好幾個(gè)方案：
1.二極管關(guān)斷電路
這是最簡單的加速電路。Rgate調(diào)整著MOS管的開啟速度，當(dāng)關(guān)斷的時(shí)候，由二極管短路電阻，此時(shí)G極電流最小為：Imin=Vf/Rgate。
此電路的優(yōu)點(diǎn)是大大加速了關(guān)斷的速度，但是它僅在電壓高的時(shí)候工作，且電流仍舊流向驅(qū)動器。
2.PNP關(guān)斷電路
這是最流行和通用的電路，利用PNP的管子，在關(guān)斷期間，源極和柵極被短路了。二極管提供了開啟時(shí)候的電流通路（并且有保護(hù)PNP管子eb免受反向電壓的影響），Rgate限制了開啟的速度。
電路的最大的好處是放電電流的尖峰被限制在最小的環(huán)路中，電流并不返回至驅(qū)動器，因此也不會造成地彈的現(xiàn)象，驅(qū)動器的功率也小了一半，三極管的存在減小了回路電感。仔細(xì)看這個(gè)電路其實(shí)是圖騰柱結(jié)構(gòu)的簡化，電路的唯一的缺點(diǎn)是柵極電壓并不釋放到0V，而是存在EC極的壓差。
3.NPN關(guān)斷電路
優(yōu)點(diǎn)和上面的PNP管子相同，缺點(diǎn)是加入了一個(gè)反向器，加入反向器勢必會造成延遲。
4.NMOS關(guān)斷電路
這個(gè)電路可以使得MOS管關(guān)斷非常快，并且柵極電壓完全釋放至零電壓。不過小NMOS管子需要一個(gè)方向電壓來驅(qū)動。問題也存在，NMOS的Coss電容和主MOS管的CISS合成變成等效的電容了
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