先來簡單了解MOS管的輸入電阻和靜電擊穿
輸入電阻
指的是在柵源之間，當柵極電壓變化時，源極電流的變化率。MOS管的輸入電阻通常很高，具有很高的絕緣性能，這意味著只有極小的漏電流通過柵極。不過這種高電阻可以減小控制電路的功耗，讓它可以作為信號放大器的輸入級以及開關使用。
靜電擊穿
由于靜電的積累導致電壓超過了原本MOS的絕緣能力，導致電流突然增大的現(xiàn)象。
一般靜電擊穿有兩種：
一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；
二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。
那么，回到問題本身，為什么MOS管的輸入電阻很高，但是一遇到靜電就不行了？
MOS管的輸入電阻很高，某種程度上也意味著它對輸入信號的電流是非常敏感的。
我們知道MOS管是一個ESD敏感器件，由于本身的高輸入電阻再加上柵-源極間的電容非常小，導致它極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，當靜電或外界電磁場作用于MOS管時，就會在極間電容上形成電荷，導致極間電容的電壓升高。
由于輸入電阻很高，這些電荷無法通過輸入端得到很好地泄漏，于是電壓在極間電容上積累，可能會引起靜電擊穿甚至有損壞MOS管的風險。
上面我們有提到一個點，也就是MOS管的工作環(huán)境，在靜電場較強的環(huán)境中，空氣中的離子和電荷會較多，從而增大了增加靜電的積累和放電的可能性，也就進一步增加了MOS管受到靜電損壞的風險。
為了保護MOS管免受靜電損壞，可以采取以下措施：
1.MOS管的柵極接地：柵極接到一個固定的電位，避免其懸空；
2.并聯(lián)電阻：并聯(lián)一個電阻在Vgs之間，起到一個放電電阻，釋放電荷的作用；
3. 放置穩(wěn)壓二極管：在Vgs之間放置穩(wěn)壓二極管，受外部靜電或或引起高壓損壞的可能性。
此外，器件本身的性能也是十分重要的。 靜電放電產(chǎn)生的短時大電流，其脈沖時間常數(shù)遠小于器件散熱的時間常數(shù)。因此，當這樣的電流通過面積較小的pn結或者肖特基結時，就會瞬間產(chǎn)生高功率密度，導致局部過熱，甚至可能局部結溫升高超過材料的原本的溫度，導致結區(qū)局部或多處熔化，引發(fā)pn結短路，隨后器件完全失效。
這種失效的發(fā)生與否，主要取決于器件內部區(qū)域的功率密度，功率密度越小，器件越不容易受損。因此，選擇功率密度小和防靜電效果比較好的優(yōu)質MOS管器件更有利于防止擊穿的風險。
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