MOSFET是一種受門極電壓控制的開關(guān)。
當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí)，MOSFET就會(huì)被開通；當(dāng)門極電壓低于開通閾值時(shí)，MOSFET會(huì)被關(guān)斷。
在實(shí)際的應(yīng)用中，由于器件及外圍線路寄生參數(shù)等其他因素的影響，會(huì)導(dǎo)致原本關(guān)斷的功率器件被誤開通。
今天我們和大家一起來談?wù)凪OSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通以及其應(yīng)對方法。
我們來講下誤開通的兩種情況：米勒效應(yīng)引起的誤開通和寄生電感引起的誤開通。
米勒效應(yīng)引起的誤開通
當(dāng) MOSFET 關(guān)斷，隨后對管導(dǎo)通時(shí)， Vds 電壓（漏極與源極之間所能施加的最大電壓值）快速上升產(chǎn)生高的 dv/dt（開關(guān)瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率），從而在電容 Cgd （米勒電容）中產(chǎn)生位移電流( igd)。
這個(gè)位移電流流經(jīng) 后會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓尖峰 。如果這個(gè)電壓尖峰超過了 MOSFET 的開通閾值，MOSFET 就會(huì)被開通，從而導(dǎo)致電路直通甚至損壞。
還有一種誤開通是由于線路上的寄生電感引起的，如下圖，Ls 是MOSFET 源極上的寄生電感。
當(dāng) MOSFET 快速關(guān)斷時(shí)，電流迅速減小產(chǎn)生較高的 di/dt，隨后寄生電感的兩端產(chǎn)生一個(gè)負(fù)的電壓（VLS）。這個(gè)VLS電壓如若超過了 MOSFET 的門極閾值，MOSFET 就會(huì)被誤開通。
那么，我們有什么方法來應(yīng)付MOSFET被誤開通的現(xiàn)象呢？
1.調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容
通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度：增大門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容來減慢MOSFET開通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
增加三極管
可以在靠近功率管的門極處放一個(gè)三極管來防止在關(guān)斷期間的誤開通，有效的抑制由于米勒效應(yīng)帶來的門極誤開通。
3.采用反并聯(lián)二極管
使電感中的電流能夠通過二極管回路消失，從而避免產(chǎn)生反向電勢。
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