我們首先拿一個(gè)NMOS來舉例。
對于N溝道MOS管來說其導(dǎo)通條件一般為VG大于VS電壓。
假設(shè)一個(gè)5V電壓作用于柵極，MOS管在這一瞬間被導(dǎo)通。
原因是此時(shí)VG=5V, VS=0V,從而滿足了導(dǎo)通條件VGS大于0。
當(dāng)MOS管導(dǎo)通后，VS會變?yōu)閂CC,也就是12V，在這時(shí)VGS電壓將變?yōu)?V，減去原本的12V，VGS變成了-7V，在這一瞬間MOS管將被關(guān)斷。
但在某些電路中又必須將負(fù)載放在源極下面。
用三極管基極通上高電平，三極管導(dǎo)通，這就意味著mos管的柵極連接到了0V，所以MOS管關(guān)斷。
但同時(shí)，這個(gè)電容器將充電到12V，在這個(gè)充電過程中，源極電壓會慢慢從12V降為0V，所以當(dāng)三極管基極放置低信號時(shí)，三極管被關(guān)斷，在這一瞬間MOS管的柵極電壓被電容抬高了。
因此，加在柵極上的電壓，是電容器的12V再加上來自VCC的12V電壓，所以是24V。
最后，這次GS電壓為24,減去前面的12，為12V，因此mos管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
（MOS管負(fù)載開關(guān)電路原理圖）
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