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MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法介紹
2024-07-26
MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法介紹MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？先定義下相關(guān)參數(shù)，以便于后續(xù)的計(jì)算．IO
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MOS管是如何被靜電擊穿的
2024-07-26
MOS管是如何被靜電擊穿的MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電
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MOS管并聯(lián)的問(wèn)題與解決方案介紹
2024-07-26
MOS管并聯(lián)的問(wèn)題與解決方案介紹一 MOS管并聯(lián)的問(wèn)題以及解決方案對(duì)于NMOS而言，我們?cè)贕極施加正電壓，會(huì)吸引負(fù)電荷從而形成導(dǎo)通溝道，從MOS
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影響MOS管驅(qū)動(dòng)電壓降低的解析
2024-07-26
影響MOS管驅(qū)動(dòng)電壓降低的解析MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電壓降低可能會(huì)受到以下因素的影響：負(fù)載特性： 如果MOS管連接
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電源MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹
2024-07-26
電源MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹1、對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的
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MOS管的種類,結(jié)構(gòu)與導(dǎo)通特性介紹
2024-07-26
MOS管的種類,結(jié)構(gòu)與導(dǎo)通特性介紹01 MOS管種類&結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種
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MOS管的死區(qū)損耗計(jì)算介紹
2024-07-25
MOS管的死區(qū)損耗計(jì)算介紹MOS 管在逆變電路，開(kāi)光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路,低壓,寬壓與雙電壓應(yīng)用介紹
2024-07-25
MOS管驅(qū)動(dòng)電路,低壓,寬壓與雙電壓應(yīng)用介紹MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的需求1，低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極
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怎么在電源上選擇MOS管
2024-07-25
怎么在電源上選擇MOS管在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))
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MOS管的高端驅(qū)動(dòng)與低端驅(qū)動(dòng)介紹
2024-07-25
MOS管的高端驅(qū)動(dòng)與低端驅(qū)動(dòng)介紹低端驅(qū)動(dòng)：MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端，其中D通過(guò)負(fù)載接電源，S直接接地。對(duì)于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開(kāi)啟電
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MOS管的工作原理詳細(xì)介紹
2024-07-25
MOS管的工作原理詳細(xì)介紹以Ntype MOS晶體管為例，探討MOS管的工作原理。放大作用的實(shí)質(zhì)是控制作用，為探究柵極電壓對(duì)溝道的控制作用，先將
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mos管寄生電容介紹,寄生電容形成的原因解析
2024-07-25
mos管寄生電容介紹,寄生電容形成的原因解析MOS管規(guī)格書中有三個(gè)寄生電容參數(shù)，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該