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      7. 100N85場效應(yīng)管,100N85參數(shù) 85A 100V DFN5×6 中文資料
        • 發(fā)布時(shí)間:2024-12-14 18:28:52
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        100N85場效應(yīng)管,100N85參數(shù) 85A 100V N溝道 DFN5×6 中文資料
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        100N85
        100N85 PDFN5×6-8L封裝參數(shù):點(diǎn)擊查看100N85
        100N85場效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
        100N85
        封裝類型:PDFN5×6-8L
        極性:NPN
        漏極電流:85A
        功率耗散:107.8W
        反向傳輸電容Crss:41pF
        柵極源極擊穿電壓:±20V
        擊穿電壓:100V
        存儲(chǔ)溫度:-55℃~+150℃
        引腳數(shù):8Pin
        導(dǎo)通電阻ID=20A,VGS=10V:Typ 4.3mΩ Max 5.6mΩ
        導(dǎo)通電阻ID=A,VGS=V:Typ mΩ Max mΩ
        工作溫度:-55℃~+150℃
        安裝類型:SMT
        二、作用與應(yīng)用
        100N85場效應(yīng)管的核心作用是作為電子開關(guān)使用。在電路中,它通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動(dòng),實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的精確控制。由于其出色的電氣性能,100N85廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
        電源管理:100N85可用于電源管理,如電源轉(zhuǎn)換和電池保護(hù)。
        高保真放大器:在音頻放大器中,100N85可以提供高保真的音質(zhì)放大。
        電機(jī)驅(qū)動(dòng):適用于低電壓、大電流的小型伺服電機(jī)控制或功率MOSFET門驅(qū)動(dòng)器。
        邏輯電路:100N85可用于實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯功能,如與、或、非等邏輯門。
        負(fù)載驅(qū)動(dòng):100N85可用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,如繼電器、LED等。
        三、PDFN5x6-8L封裝特點(diǎn)
        100N85采用PDFN5x6-8L封裝,這是一種塑料封裝,具有以下特點(diǎn):
        緊湊型封裝設(shè)計(jì):PDFN5x6-8L封裝極大優(yōu)化了占位面積和重量,適合空間受限的應(yīng)用。
        極低的封裝厚度:PDFN5x6-8L封裝的厚度低,有助于提高電路板的堆疊效率。
        Clip銅夾封裝技術(shù):散熱性能優(yōu)異,有助于高功率應(yīng)用中的熱管理。
        降低封裝阻抗及感抗:PDFN5x6-8L封裝大大減少了封裝阻抗和感抗,提高了器件的性能。
        可靠性高,可焊性好:PDFN5x6-8L封裝的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠
        100N85場效應(yīng)管PDF5×6-8L封裝尺寸:100N85
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