華科智源的二極管浪涌電流測試儀，可測試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根據具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，最大電流可達50kA。

ITC55100雪崩能量測試儀是原成功產品ITC5510的升級版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測試，同時增加了許多功能，如提高測試精度，測試結果的收集，查看測試結果，連接多個被測品。ITC55100可以用來對功率MOSFET和IGBT的耐用性測試。 它還能測試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測量IGBT的正向和反向偏置。

IGBT雙脈沖測試平臺雙脈沖測試平臺主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內兩次開通，并測量過程中各種動態(tài)參數，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數差異，是評估 FRD 和 IGBT 二十多種動態(tài)參數重要測量手段。同時也是功率元件驅動及保護電路參數調整和驗證的測量平臺。

ITC57300 MOS管動態(tài)參數測試儀是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態(tài)參數測試設備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前完備可靠的動態(tài)參數測試設備。

華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。