n溝道m(xù)os管原理，nmos工作條件介紹
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一、N溝道MOS管符號及應(yīng)用場景
N溝道MOS管（NMOS），用以下符號表示，
在大功率設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，涵蓋電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源以及逆變器等，其核心優(yōu)勢在于基于電壓型驅(qū)動方式，即以小電壓調(diào)控大電壓，操作便捷性顯著。
在大功率設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，涵蓋電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源以及逆變器等，其核心優(yōu)勢在于基于電壓型驅(qū)動方式，即以小電壓調(diào)控大電壓，操作便捷性顯著。
二、MOS管工作原理剖析
MOS管工作效能取決于MOS電容，該電容位于源極與漏極間氧化層下方的半導(dǎo)體表面，通過施加正負(fù)柵極電壓，可實現(xiàn)表面從p型到n型的反轉(zhuǎn)。
MOS管關(guān)鍵原理在于調(diào)控源極與漏極間電壓電流，其運(yùn)作類似開關(guān)，功能基于MOS電容，后者堪稱MOS管核心部件。
當(dāng)漏源電壓（VDS）接入，正電壓施加于漏極、負(fù)電壓作用于源極時，漏極的pn結(jié)呈反向偏置，源極的pn結(jié)呈正向偏置，此時漏源間無電流流通。
若在柵極端子施加正電壓（VGG），因靜電引力，p襯底中的少數(shù)載流子——電子，會在柵極觸點聚集，于兩個n+區(qū)域間形成導(dǎo)電橋。
柵極觸點自由電子聚集量受施加正電壓強(qiáng)度影響，電壓越高，聚集電子越多，n溝道越寬，電導(dǎo)率提升，漏極電流（ID）隨之開啟。
無電壓施加于柵極時，除少數(shù)載流子產(chǎn)生的微量電流外，基本無電流流動。MOS管開始導(dǎo)通的最低電壓即閾值電壓。
以n溝道MOS管為例，選取輕摻雜p型襯底，擴(kuò)散兩個重?fù)诫sn型區(qū)作源極、漏極，兩n+區(qū)間經(jīng)擴(kuò)散形成n溝道，連通漏源。
在整體表面生長一層薄二氧化硅（SiO2），開設(shè)孔洞以構(gòu)建漏極、源極的歐姆接觸。覆蓋鋁導(dǎo)電層貫穿整個通道，在SiO2層上從源極延展至漏極形成柵極，SiO2襯底連接公共或接地端子。
得益于結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，MOS管芯片面積遠(yuǎn)小于BJT，僅為雙極結(jié)型晶體管占用率的5%，極大節(jié)省空間。
三、N溝道MOS管（耗盡型）工作原理解讀
在柵極與溝道間無pn結(jié)的前提下，擴(kuò)散溝道n（兩n+區(qū)間）、絕緣介質(zhì)SiO2及柵極鋁金屬層構(gòu)成平行板電容器。
欲使NMOS耗盡模式運(yùn)行，柵極需為負(fù)電位，漏極為正電位。
無電壓施加于柵源間時，漏源電壓作用下有部分電流流通。對VGG施加負(fù)電壓，少數(shù)載流子空穴受吸引在SiO2層附近聚集，多數(shù)載流子電子被排斥。
無電壓施加于柵源間時，漏源電壓作用下有部分電流流通。對VGG施加負(fù)電壓，少數(shù)載流子空穴受吸引在SiO2層附近聚集，多數(shù)載流子電子被排斥。
當(dāng)VGG負(fù)電位達(dá)一定值，漏極電流ID源源不斷從源極流向漏極。進(jìn)一步增大負(fù)電位，電子耗盡，ID減小，VGG越負(fù)，ID越小。靠近漏極的通道較源極消耗更甚，致使電流減弱。
四、N溝道MOS管（增強(qiáng)型）工作原理探究
改變電壓VGG極性，MOS管可切換至增強(qiáng)模式。以柵源電壓VGG為正的MOS管為例，無電壓施加時，漏源電壓作用下仍有電流流通。施加正電壓于VGG，少數(shù)載流子空穴遭排斥，多數(shù)載流子電子被吸引至SiO2層。
VGG正電位下，漏極電流ID源極至漏極暢通無阻。提升正電位，源極電子流受推動，ID增大，VGG越正，ID越大。因電子流增強(qiáng)，電流得以放大，故稱增強(qiáng)模式MOS管。
五、NMOS工作條件全析
導(dǎo)通條件：NMOS導(dǎo)通需滿足柵極電壓（Vg）高于源極電壓（Vs），且壓差（Vgs）超越閾值電壓（Vgs（th））。即Vg-Vs＞Vgs（th）時，柵極下方形成反型層（n型溝道），源漏導(dǎo)通。
導(dǎo)通特性：導(dǎo)通瞬間，NMOS猶如閉合開關(guān)，壓降趨近于0，但存在內(nèi)阻RDSon。值得注意的是，GS極間等效電容，唯有電容充滿電，MOS才能導(dǎo)通。多數(shù)MOS管DS極間內(nèi)置肖特基二極管，旨在提升性能。
截止條件：讓NMOS截止（斷開），只需撤去柵極電壓。但要關(guān)注GS間電容放電問題，需并聯(lián)電阻實現(xiàn)放電。
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